- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
With an extended voltage range, from 650 to 2200 V, ST's silicon-carbide MOSFETs offer one of the most advanced technology platforms featuring excellent switching …
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون روی عایق. فناوری سیلیکون روی عایق (SOI) به استفاده از یک لایه سیلیکون-عایق بر روی سیلیکون به جای استفاده از لایه سیلیکون معمولی در تولید نیمه هادی‌ها، علی‌الخصوص در میکرو الکترونیک ...
به خواندن ادامه دهید
نوع دیگر ترانزیستورهای FET، ترانزیستورهای MOSFET هستند. در این نوع ترانزیستورها، پایه Gate با استفاده از لایه‌ای از شیشه (Silicon Dioxide) از کانال نیمه‌هادی درون ترانزیستور عایق می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
گفتیم که این ترانزیستورها می‌توانند براساس ساختارشان دو نوع داشته باشند؛ نوع NPN و نوع PNP. که معمولا نوع NPN را به دلیل ساده تر بودن روابط حاکم بر آن، به نوع PNP ترجیح می‌دهند. در تصویر زیر یک ...
به خواندن ادامه دهید
بر پایه‌ی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمه‌هادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمه‌هادی‌های ۱۰ نانومتری استفاده میکند.
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
همچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شوند، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار می‌روند. مدارات ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور را می توان نیمه‌هادی تعریف کرد که عمدتاً از ۳ ترمینال ساخته شده و برای تقویت یا سوییچ کردن سیگنال‌های الکترونیکی و مصارف برقی استفاده می شود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست و چگونه کار میکند ؟. در ساده‌ترین تعریف، ترانزیستور المانی نیمه هادی است که از آن برای کنترل یا تقویت جریان الکتریکی استفاده می‌شود. ترانزیستورها به دو گروه زیر طبقه‌بندی ...
به خواندن ادامه دهید
شکل و مواد به‌کاررفته در ساختار ترانزیستورها با گذر زمان تغییر کرده است؛ اما ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز (mosfet) که در ریزپردازنده‌ها استفاده می‌شوند، از زمان اختراع در ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور (Transistor) قلب تپنده مدارهای الکترونیکی است و جزء اصلی تراشه های الکترونیکی را تشکیل می دهند. ترانزیستور ها در مدار گاهی به صورت کلید قطع و وصل مورد استفاده قرار می گیرد و گاهی به صورت ...
به خواندن ادامه دهید
اغلب از نمادهای اضافه و منفی برای نشان دادن غلظت نسبی دوپینگ در نیمه هادی ها استفاده می شود. به عنوان مثال، n+ نشان دهنده یک نیمه هادی نوع n با غلظت دوپینگ بالا، اغلب منحط شده است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
Este documento apresenta as características e aplicações dos produtos de SiC MOSFET e diodo da STMicroelectronics, líder mundial em soluções de potência baseadas em …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای بیپولار و ترانزیستورهای فلز-نیمه‌هادی شامل سه لایه نیمه‌رسانای نوع n و p هستند، در حالی که ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه‌هادی (mosfet) دارای لایه اکسیدی هستند که بین دروازه و ...
به خواندن ادامه دهید
سرفصل‌های دوره آموزش رایگان الکترونیک دیجیتال. فصل اول: مقدمات و مفاهیم اولیه. 01:04 ساعت (01:04 ساعت محتوا) 1 جلسه. جلسه 1: مقدمات و مفاهیم اولیه. "64:02. فصل دوم: مواد نیمه هادی و دیودها. 03:05 ساعت (03:05 ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید
1# دیود چیست؟. (Diode) دیود یکی از انواع قطعات نیمه هادی دو پایه است که در مدارهای الکترونیکی بسیاری استفاده می شود و. جریان الکتریکی را در یک جهت هدایت کرده و در جهت مخالف آن مانع عبور جریان از ...
به خواندن ادامه دهید
در این حالت وقتی به Gate و source ولتاژی بایاس معکوس اعمال کنیم. وضعیت تغییر می کند. اگر ولتاژ اعمالی به Gate و source معکوس باشد یعنی Gate نسبت به S منفی باشد، در این حالت ناحیه تخلیه باز هم بزرگتر می شود و به ازای ولتاژ گرایش معکوس ...
به خواندن ادامه دهید
1# ترانزیستور چیست؟. ترانزیستورها یکی از اصلی ترین تراشه های اکترونیکی و قلب تپنده مدار های الکتریکی هستند. ترانزیستورها در واقع قطعات نیمه رسانا یا نیمه هادی هستند که. برای تقویت و تعویض یک ...
به خواندن ادامه دهید
مقاومت ثابت چیست؟ مقاومت‌های الکتریکی به دو دسته کلی ثابت (Fixed Resistors) و متغیر (Variable Resistors)تقسیم بندی می‌شوند.مقاومت های ثابت تنها دارای یک مقدار مقاومت واحد هستند، برای مثال 100Ω اما مقاومت های متغیر (پتانسیومترها ...
به خواندن ادامه دهید
سال اکتشاف: 1947. این کشف چه می‌گوید؟. مواد نیمه هادی را می‌توان بطور موقت به فوق هادی‌ها مبدل کرد. چه کسی آن را کشف کرد؟. جان باردین نخستین جایزهٔ نوبل خود را برای کشف خاصیت انتقالی ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
STのSiC（シリコン･カーバイド）MOSFETは、650V～2200Vのいにてされます。. のテクノロジー･プラットフォームの1つで、れたスイッチングおよびきわめていたりのオンをとします。. SiCパワーMOSFETの. …
به خواندن ادامه دهید
در ادامه مجموعه مقالات جامع مجله فرادرس، مقالات آشنایی با قطعات الکترونیک قدرت را ارائه می‌کنیم. دیود پیوند PN ، یکی از ساده‌ترین انواع نیمه‌هادی‌ها به شمار می‌رود که به معرفی آن پرداخته ...
به خواندن ادامه دهید
بدون ترانزیستورها، تکنولوژی که هر روز استفاده می‌کنید ... در دهه 1970 منجر به تولید ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) شد. ... که در این ناحیه کار می کند برای تقویت استفاده می شود. ff.
به خواندن ادامه دهید
The main features of our SiC MOSFETs include: Automotive-grade (AG) qualified devices. Very high temperature handling capability (max. T J = 200 °C) Very high switching frequency operation and very low switching losses. Low on-state resistance. Gate drive compatible with existing ICs. Very fast and robust intrinsic body diode.
به خواندن ادامه دهید
در جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
آنها از میدان الکتریکی برای کنترل هدایت الکتریکی یک کانال استفاده می کنند. fet به jfet (ترانزیستور جلوه ای اثر میدان) و mosfet (ترانزیستور تأثیر میدان نیمه هادی فلز اکسید فلزی) طبقه بندی می شود.
به خواندن ادامه دهید
کشف و دستیابی به قطعات ارزان قیمت نیمه هادی نقطه عطفی در تاریخ منابع تغذیه سوئیچینگ محسوب می شود. این مفهوم از دهه 1930 شناخته شده است، اما در آن زمان منابع تغذیه کمتری با استفاده از تکنیک ...
به خواندن ادامه دهید
در ابتدا، آنها بر روی ایده ای کار می کردند که از یک اثر میدانی برای کنترل جریان در یک نیمه هادی استفاده می کرد، اما از آنجا که نتوانستند ایدهشان را عملی کنند، تمرکز خود را بر روی ایده دیگری معطوف کردند.
به خواندن ادامه دهید