- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
اثر ترموالکتریکی. اثر گرمابرقی [۱] یا اثر ترموالکتریک تبدیل مستقیم اختلاف دما به ولتاژ الکتریکی یا برعکس آن توسط ترموکوپل است. [۲] یک دستگاه ترموالکتریک وسیله‌ای است که در صورت وجود اختلاف ...
به خواندن ادامه دهید
SiC has more than 200 homogeneous polymorphs, of which 3C-, 4H-, and 6H-SiC are rather common. The structures of 3C-, 4H-, and 6H-SiC are schematically shown in …
به خواندن ادامه دهید
دیود یک قطعه‌ی نیمههادی است که جریان را تنها در یک جهت عبور میدهد و مانند یک شیر الکتریکی یک طرفه عمل می‌کنند. قبل از بررسی نحوه‌‌ی عملکرد دیودهای سیگنال و قدرت، لازم است با مفاهیم اساسی ...
به خواندن ادامه دهید
کاربید سیلیکون بیشتر به دلیل سختی و مقاومت بالایی آن مورد استفاده قرار می گیرد ، اگرچه ویژگی های ترکیبی سرامیکی و نیمه هادی، آن را برای ساخت دستگاه های واکنش سریع ، ولتاژ بالا و دمای بالا به یک گزینه بسیارعالی تبدیل می کند. برای کسب اطلاعات …
به خواندن ادامه دهید
آموزش‌ها. /. آموزش مواد نیمه رسانا – نیمه هادی های ساده و مرکب (رایگان) مشخصات آموزش نظرات. امروزه علم الکترونیک را می‌توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. دلیل اهمیت این قطعات ...
به خواندن ادامه دهید
There is no such thing as plain SiC!: Instead, whenever you look in the literature, you will find names like 3C-SiC, 6H-SiC, 4H-SiC, or 2H-SiC.In other words: There are many …
به خواندن ادامه دهید
درحالیکه بیشتر نیمه هادی های استفاده شده غیرارگانیک هستند، تعداد رو به رشدی از مواد ارگانیک هم مورد بررسی و استفاده هستند. نکته: پراستفاده ترین نیمه هادی سیلیکون و پس از آن گالیوم آرسناید است. لیست مواد نیمه هادی ها انواع بسیار مختلف زیادی …
به خواندن ادامه دهید
نیمه هادی‌ها عناصری هستند که بین هادی و عایق قرار دارند. به این معنی که در لایه آخر آنها دقیقا 4 الکترون ظرفیتی وجود دارد و یا با دریافت الکترون تکمیل شده و عایق شوند و یا با از دست دادن الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
Fig. 3 summarizes the temperature-dependent k r and k z for the SI 4H-SiC, n-type SiC, and SI 6H-SiC from 250 K to 450 K. Anisotropy is clearly observed in the …
به خواندن ادامه دهید
اجازه می دهد تا مواد خشک در مایعات پراکنده شوند و از تجمع مواد خشک جلوگیری کنند. ... دی اکسید سیلیکون به طور گسترده ای در فناوری نیمه هادی استفاده می شود و به عنوان یک ماده دی الکتریک با سایر ...
به خواندن ادامه دهید
تاریخ نیمه هادی ها. اصطلاح "نیمه هادی" برای اولین بار توسط الساندرو ولتا در سال 1782 استفاده شد. مایکل فارادی اولین نفری بود که اثر نیمه هادی را در سال 1833 مشاهده کرد. فارادی مشاهده کرد که مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
«دیود» (Diode) یک قطعه الکترونیکی دوسر است که جریان الکتریکی را در یک جهت عبور میدهد. دیودها پرکاربردترین قطعه نیمههادی در مدارهای الکترونیکی هستند و معمولاً برای یکسوسازی جریان مورد استفاده قرار می‌‌گیرند.
به خواندن ادامه دهید
The next most common polytypes are 15R and 4H, respectively. SiC also crystallizes in the wurtzite structure (2H-SiC). Assuming that the 3C and 2H structures are extremes in the …
به خواندن ادامه دهید
شیشه سیلیسی یا سیلیس آمورف ، یک نوع شیشه تک‌جزئی است که از سرد کردن سریع سیلیس مذاب به‌وجود می‌آید. [۱] شیشه سیلیسی یا شیشه کوارتزی شیشه ای است که از سیلیس به شکل آمورف (غیربلوری) تشکیل شده است ...
به خواندن ادامه دهید
مواد نیمه هادی دارای گپ ممنوعه نازک و در حدود یک الکترون ولت هستند. در این مواد حرارت موجود در دمای اتاق کافی است که الکترون ها را از باند ظرفیت به باند هدایت بالا ببرد. اما در دمای صفر کلوین یا ...
به خواندن ادامه دهید
نیمه‌رسانای آلی یا نیمههادی آلی یک ماده آلی با خواص نیمه هادی یا نیمه رسانا است. نیم رسانا یا نیمه هادی عنصر یا ماده‌ای است که در حالت عادی عایق باشد ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیت ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون پلی‌کریستالی (یا سیلیکون نیمه کریستالی ، پلی‌سیلیکون ، poly-Si یا به طور ساده شده "poly") ماده‌ای است که از چندین کریستال سیلیکون کوچک تشکیل شده‌است. سلول‌های پلی‌کریستالی را می‌توان ...
به خواندن ادامه دهید
مواد نیمههادی مانند سیلیسیم (Si)، ژرمانیوم (Ge) و گالیم آرسناید (GaAs) ویژگی‌های الکتریکی خاصی دارند که آنها را در دسته‌ای بین رسانا‌ها و عایق‌ها قرار میدهد. این مواد نه رسانای خوبی هستند و نه عایق خوبی، به همین خاطر ...
به خواندن ادامه دهید
مواد بر اساس ساختار و خواص متفاوتی که شامل آن هستند به پنج گروه اصلی زیر تقسیم بندی می شوند: فلزات. سرامیک ها. پلیمرها. کامپوزیت ها. نیمه هادی ها. اما موادی نیز در این پنج گروه وجود دارند که ...
به خواندن ادامه دهید
سامانه‌های فتوولتایی (به انگلیسی: Photovoltaic system) به پدیده‌ای که در اثر تابش نور بدون استفاده از سازوکارهای محرک مکانیکی الکتریسیته تولید کند، فتوولتايیک (Photovoltaics) گفته شده و عاملی که این فرایند ...
به خواندن ادامه دهید
منظور از فتوکاتالیست چیست؟. واژۀ فتوکاتالیست (Photocatalyst) به کاتالیزورهایی اطلاق می شود که در حضور نور فعال می شوند. بخش عمدۀ این مواد اکسیدهای جامد نیمه هادی هستند که با جذب فوتون های نور، یک ...
به خواندن ادامه دهید
crystal growth of 3C- and 6H-SiC [5, 6, 7-14, 15-22]. 4H-SiC is often used for power devices owing to its high carrier mobility along the -axis and high critical electric field strength C …
به خواندن ادامه دهید
しいパワーデバイスのとしてされているSiCですが、くのをもつとしてもです。. ここでは、そのでもデバイスにわれているな3つのをします。. SiCのなは3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiCです。. そ …
به خواندن ادامه دهید
دیود (diode) را می‌توان قطعه الکترونیکی دو ترمینالی دانست که جریان را تنها در یک جهت وصل می‌کند (تا زمانی که با سطح ولتاژ مشخصی به کارگیری شود). دیودی ایده آل در یک جهت مقاومت صفر داشته و مقاومتی ...
به خواندن ادامه دهید
شرح: نیمه هادی های نانوساختار ( T. Takagahara) : ذرات نیمه رسانا با اندازه ی ذرات میان ۱ و ۱۰ نانومتر، توجه زیادی را به خود اختصاص داده اند. از اوایل دهه ی ۱۹۸۰، این مواد به طور فراوان مورد بررسی قرار ...
به خواندن ادامه دهید
F-43m3C-SiC；P63mc、Z=44H-SiC；P63mc、Z=66H-SiC。 (110) (11-20),(hkl)(hkil),。 …
به خواندن ادامه دهید
In contrast, the room temperature R/sub on,sp/ for the best 4H-SiC reduced rapidly with increase in temperature to 128 m/spl Omega/-cm/sup 2/ at 450 K. At room …
به خواندن ادامه دهید
مفهوم تحرک‌پذیری. هنگامی که میدان الکتریکی وجود نداشته باشد، الکترون‌ها در جامدات (الکترون‌ها و حفره‌ها در نیمه هادی‌ها) به صورت تصادفی حرکت می‌کنند. بنابراین برآیند جهت حرکت آنها به ...
به خواندن ادامه دهید
در صورت وجود یک گاز قابل کشف، قابلیت هدایت سنسور که به غلظت گاز در هوا بستگی دارد، افزایش پیدا می کند. یک مدار ساده الکترونیکی می تواند تغییرات رسانایی را به یک سیگنال خروجی که به چگالی گاز ...
به خواندن ادامه دهید
این بالاترین دمایی است که سیلیکون کارباید در آن تشکیل می شود. 3C یا β-SiC ساختار بلند روی (شکل زیر) را دارد. دیگر پلی مورف های SiC را به نام α-SiC مطرح است. اما اساساً α-SiC ساختار 6H را دارد.
به خواندن ادامه دهید
عنوان. بررسی اثر کاشت هیدروژن در نمونه بلوری کاربید سیلیسیم (SiC) قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن
به خواندن ادامه دهید