- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
NISKAYUNA, NY – Thursday, June 1, 2023 – A team of scientists from GE Research have set a new record, demonstrating SiC MOSFETs …
به خواندن ادامه دهید
Unternehmen . Adresse : GeneSiC Semiconductor Inc.. 43670 Trade Center Place Ste. 155 Dulles, werden 20166 Vereinigte Staaten von Amerika ; Büro : +1 (703) 996-8200 Fax : +1 (703) 665-2347 Skype : Genesicsemi E-Mail an : [email protected]
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, quality and ruggedness to enable more efficient and smaller systems. Toggle navigation. …
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) power semiconductors, today announces the immediate availability of 6.5kV SiC MOSFET bare chips …
به خواندن ادامه دهید
All of GeneSiC Semiconductor's SiC MOSFETs are targeted for automotive applications (AEC-Q101) and PPAP-capable. G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&trade SiC MOSFET. G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&trade SiC MOSFET. G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&trade SiC MOSFET.
به خواندن ادامه دهید
DULLES, VA, October 20, 2020 — GeneSiC's releases 6.5kV silicon carbide MOSFETs to lead the forefront in delivering unprecedented levels of performance, …
به خواندن ادامه دهید
۱- از ساختار ساختمان محافظت می کند. ۲- پل حرارتی کاهش می یابد، میعان و اتلاف حرارتی نیز به حداقل می رسد. ۳- ضریب انتقال حرارت ثابت نگه داشته می شود و عملکرد حرارتی عایق کاری بهبود می یابد. ۴- نقطه ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs capable of blocking extremely high voltages (up to 15kV); while dopant control for thin highly-doped epitaxial layers has helped enable low on-resistance 900V …
به خواندن ادامه دهید
for GeneSiC, are expected to be approximately $14 million plus or minus 3%, excluding. stock-based compensation and amortization of intangible assets. Earnings Webcast. Navitas will hold a public webcast today at 2:00 p.m. Pacific / 5:00 p.m. Eastern to discuss second quarter results and the GeneSiC acquisition.
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's 1200V SiC MOSFET discrete are 100 % avalanche (UIL) tested during production Low gate charge and low internal gate resistance – These parameters are critical towards realizing ultra-fast switching and achieving highest efficiencies (low Eon -Eoff) across a wide range of application switching frequencies
به خواندن ادامه دهید
از آجرهای عایق، که دارای تخلخل زیادی هستند، معمولاً پشت آسترهای نسوز استفاده می‌شود تا خاصیت عایق کاری حرارتی افزایش پیدا کند. دیرگدازهای فله ای یا یکپارچه (ساختار مداوم) که برای ساخت آنها ...
به خواندن ادامه دهید
انواع عایق های حرارتی. عایق پشم شیشه. پشم شیشه یکی از قدیمی ترین عایق های حرارتی است که در گذشته مورد استفاده قرار می گرفت و هم اکنون نیز استفاده از آن در برخی مکان ها رواج دارد. این عایق نوعی ...
به خواندن ادامه دهید
El Segundo, CA., August 15th, 2022 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs, today announced the acquisition of GeneSiC Semiconductor, a silicon carbide (SiC) pioneer with deep expertise in SiC power device design and process.The transaction is immediately accretive to …
به خواندن ادامه دهید
سلسله مراتب طراحی اقلیمی در یک منطقه نقش زیادی در شرایط آسایش محیطی دارد. این موضوع در مناطقی با اقلیم خاص از اهمیت بیشتری برخوردار است. در میان عوامل اقلیمی، جریان باد نقش بسیار مهمی در شکل ...
به خواندن ادامه دهید
عایق حرارتی پشم سنگ. پشم سنگ یک عایق صوتی- حرارتی با الیاف معدنی میباشد. ماده اولیه ی عایق پشم سنگ، بازالت ، از گروه سنگ های آذرین است .برای تولید پشم سنگ، بازالت را در دمای 1500 درجه سانتیگراد ...
به خواندن ادامه دهید
عایق ساختمان ، عایق حرارتی برای آسایش و بهره وری انرژی به ساختمانها افزوده می شود. عایق کاری به معنای ایجاد سدی بین آب گرم و جسم سرد است که با بازتاب اشعه حرارتی یا کاهش هدایت حرارتی و همرفت از ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor is a pioneer and world-leader in silicon carbide (SiC) technology. Leading global manufacturers depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs. GeneSiC Semiconductor's next-generation G3R™ and G2R™ SiC (Silicon Carbide) MOSFETs offer R DS (ON) levels ranging from 12mΩ to 1000mΩ. These devices feature industry-leading performance, robustness, and quality for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications.
به خواندن ادامه دهید
سیستم کنترل حرارتی غیرفعال ( PTCS) عبارت است از: عایق چند لایه (MLI) که از فضاپیما در برابر گرمای بیش از حد خورشیدی یا سیاره‌ای و همچنین از خنک شدن بیش از حد در هنگام قرار گرفتن در اعماق فضا محافظت ...
به خواندن ادامه دهید
عایق حرارتی ایزوهُم ساخته شده از الیاف نانو با تکنولوژی روز دنیا می باشد. از ویژگی های منحصر به فردعایق حرارتی ایزوهُم می توان به موارد زیر اشاره کرد: 1- عایق حرارتی با ضریب هدایتی بالا. 2- غیر ...
به خواندن ادامه دهید
As one of the first SiC device companies, GeneSiC developed cutting-edge SiC technologies for government bodiesⁱ, focused heavily on performance and robustness, and released several generations of both SiC diode and MOSFET technologies with ratings up to 6.5 kV in various packages as well as bare die. In 2022, Navitas Semiconductor …
به خواندن ادامه دهید
Microchip's 3.3 kV SiC power devices include MOSFETs with the industry's lowest RDS (on) of 25 mOhm and SBDs with the industry's highest current rating of 90 amps. Both MOSFETs and SBDs are ...
به خواندن ادامه دهید
خرید عایق حرارتی. عایق حرارت و رطوبت از ضروری ترین مواد مورد استفاده در ساختمان ها می باشد که هدف اصلی آنها جلوگیری از هدر رفت انرژی و گرما می باشد. این مواد که به صورت جامد و مایع در شکل های ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide (SiC) power semiconductor supplier GeneSiC Semiconductor Inc of Dulles, VA, USA has announced the availability of its third-generation 1200V G3R SiC …
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor. As a Genesic Semiconductor distributor, NAC offers leading edge silicon carbide rectifiers, diodes, junction transistors, thyristors including bare die, helping you to achieve Energy Efficiency through Innovation. GeneSiC is the provider of choice for Silicon Carbide and Silicon based high power semiconductor products ...
به خواندن ادامه دهید
Holding leading patents on wide band gap power device technologies, GeneSiC is one of the first companies to propose 3300V discrete- packaged SiC MOSFET on the market, …
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor's next-generation G3R™ and G2R™ SiC (Silicon Carbide) MOSFETs offer R DS (ON) levels ranging from 12mΩ to 1000mΩ. These devices feature industry-leading performance, robustness, and quality for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications. These MOSFETs deliver high …
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, quality and ruggedness to enable more efficient and smaller systems. ... : GeneSiC. 43670 . 155 …
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC3300V1700V SiC MOSFET, 1000mΩ450mΩSMD, .,., ...
به خواندن ادامه دهید
عایق حرارتی می تواند از داخل، خارج و یا به صورت لایه ای در میان عناصر ساختمانی اجرا شود. عایق کاری از خارج، اینرسی حرارتی ساختمان را به حداکثر می رساند و سبب می گردد که نوسان های دمای داخل ...
به خواندن ادامه دهید
نمونه های عایق های حرارتی عبارت اند از: عایق پشم شیشه: پشم شیشه همانطور که در بالا گفتیم یگ عایق حرارتی است. الیاف بسیار نازک با تار های شیشه ای که معمولا به هم وصل هستند را پشم شیشه می نامیم.
به خواندن ادامه دهید