- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
در‌حالی‌که دونالد ترامپ به شرکت‌های آمریکایی فشار می‌آرود که تولید قطعات و محصولات خود را به داخل خاک آمریکا ببرند، شرکت TSMC در نظر دارد کارخانه‌ای جدید در ایالت آریزونا احداث کند. رسانه ...
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, and Soitec (Euronext Paris), a leader in designing and manufacturing innovative semiconductor materials, announce the next stage of their cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, with the qualification …
به خواندن ادامه دهید
ST offers an impressive range of Power MOSFETs for any voltage range in industrial and automotive applications, such as switch mode power supplies (SMPS), lighting, motor …
به خواندن ادامه دهید
Most IGBTs are at 400V, but SiC is moving to 800V and enabling faster charge. But there is a big cost factor with SiC due to the substrate. A 200mm SiC wafer is $1500, a 200mm silicon wafer is $30 ...
به خواندن ادامه دهید
Si HV MOSFET Medium-high power, high voltage, up to several kw, high frequency SMPS, server and telecom, DC/DC, low power motor control, OBC, charging station IGBT Very high power, high voltage, medium frequency up to 50 kHz HV motor control, H.A., UPS, welding, induction heating, main traction SiC MOSFET
به خواندن ادامه دهید
Geneva, Switzerland, December 9, 2021 - STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics …
به خواندن ادامه دهید
onsemi M 1 1200 V SiC MOSFETs are rated at 1200 V with a maximum Zero Gate Voltage Drain Current (IDSS) that is specified in the datasheet of each specific device. However, …
به خواندن ادامه دهید
Dod-cell and Oct-cell MOSFETs in this work are shown in Figure1c. All MOSFETs have the same edge termination design and die size. The die size is 1.15 1.15 mm2, including the termination. The MOSFETs are fabricated on a 6-inch SiC wafer by X-Fab using the same SiC power MOSFET process. Figure1d shows the cross-sectional …
به خواندن ادامه دهید
محقق دانشگاه بینگامتون نیویورک نوعی باتری کشسان تولید کرده که قادر است به کمک باکتری‌های موجود در عرق بدن، انرژی لازم برای کاربری روزانه‌ی گجت‌های پوشیدنی را تامین نماید.
به خواندن ادامه دهید
With an extended voltage range, from 650 to 2200 V, ST's silicon-carbide MOSFETs offer one of the most advanced technology platforms featuring excellent switching …
به خواندن ادامه دهید
رایانه. رایانه یا کامپیوتِر (به انگلیسی: Computer) [۱] دستگاهی الکترونیک است که می‌تواند برنامه‌ریزی شود تا دستور ها و محاسبات ریاضیاتی و منطقی را به‌صورت خودکار از طریق برنامه‌نویسی انجام دهد ...
به خواندن ادامه دهید
0. محققان دانشگاه CU Boulder دستگاه پوشیدنی جدید و کم هزینه ای را تولید کرده اند که بدن انسان را به یک باتری بیولوژیکی تبدیل می کند. این دستگاه جدید، به اندازه ای قابلیت کشسانی دارد که می توانید آن ...
به خواندن ادامه دهید
بر اساس گزارش بلومبرگ، هواوی برای ایجاد شبکه خود، امکانات ساخت قطعات را از JHICC و Qingdao Si'en خریداری کرد و به ساخت کارخانه هایی هایی که متعلق به شرکت تولیدی IC Pengxinwei (PXW) و Shenzhen Pensun Technology Co (PST) کمک می کند.
به خواندن ادامه دهید
implanted mosfet （dimosfet）がでされ ている（2）、（3）。これにしてトレンチmosfetはdimosfet の（jfet）がなく、がと なるためにであり、sic mosfetのの となりつつある。 でのv …
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, and Soitec (Euronext Paris), …
به خواندن ادامه دهید
پشتیبانی از بازو و شانه. این تکنولوژی پوشیدنی از کارگرانی که ابزار و مواد سنگین را از بالای کمر برمی‌دارند، پشتیبانی می‌کند. ربات‌های پوشاننده بازو برای کارهایی مانند حفاری، برش و سنگ زنی ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide MOSFET 650 V, 45 A TN3050H-12WY SCR Thyristor 30A 1200V 1200V 600V 600V 1200V STM32F334 VIPer26LD 97.5 % efficiency at full load Key Products: SCTW35N65G2V (SiC MOSFET) TN3050H-12GY (SCR Thyristor) STGAP2AS (Galvanic insulated gate driver) STM32F334 (32-bit MCU) VIPer26LD (converter for aux. PS)
به خواندن ادامه دهید
فرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با استفاده از رایانه ها ...
به خواندن ادامه دهید
دانشمندان یک فناوری به نام « پارچه آکوستیک » را اختراع کرده‌اند که می‌تواند صدا را تشخیص داده و تولید کند. این پارچه می‌تواند ضربان قلب و تنفس را کنترل کرده و حتی امکان پاسخ دادن به تماس‌های ...
به خواندن ادامه دهید
The results are highest efficiency, higher switching frequencies, less heat dissipation, and space savings – benefits that, in turn, also reduce the overall system cost. We identified this potential almost 30 years ago and established a team of experts in 1992 to develop SiC diodes and transistors for high-power industrial applications.
به خواندن ادامه دهید
もたらすsic－mosfetのをめている。でも,ト レンチsic－mosfetは,セルのによる をめとしたによって,なプレーナにべ てよりのがされている。には,ド
به خواندن ادامه دهید
در رله، این قاب قطعات مختلف را حفاظت می‌کند و آرمیچر یک قسمت متحرک است. یک سیم یا سیم‌پیچ مسی در اطراف یک میله فلزی برق‌دار می‌شود تا یک میدان مغناطیسی ایجاد کند و آرمیچر را حرکت می‌دهد.
به خواندن ادامه دهید
GaN Imaging Premium Foundry SiC: Silicon carbide for a more sustainable future. STMicroelectronics introduced its first SiC diodes in 2004, after several years of research …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics has released its third generation of STPOWER silicon-carbide (SiC) MOSFETs, intended for 800 V drive systems. ST's new SiC devices are …
به خواندن ادامه دهید
تکه ای کاربید سیلیسیم که در تولید فولاد استفاده می‌شود. سیلیسیم کاربید حل شده در کوره اکسیژن قلیایی در تولید فولاد ، به عنوان سوخت عمل می‌کند. انرژی اضافی آزاد شده باعث می‌شود که کوره با ...
به خواندن ادامه دهید
کافه ربات؛ فروشگاه بزرگ اینترنتی قطعات رباتیک و الکترونیک. ارسال رایگان به سراسر ایران. ارسال رایگان با پیک در تهران. تضمین پایین قیمت. آدرس: تهران، خیابان کارگر شمالی. مطمئن خرید کنید
به خواندن ادامه دهید
2. SiC MOSFET STM. 906H-SiC4H-SiC,SiC,、。. SiC,TeslaSiC,STM41％ ...
به خواندن ادامه دهید
Wide Bandgap Materials 4 Radical innovation for Power Electronics Si GaN 4H-SiC E g (eV) –Band gap 1.1 3.4 3.3 V s (cm/s) – Electron saturation velocity 1x10 72.2x10 2x107 ε r –dielectric constant 11.8 10 9.7 E c (V/cm) –Critical electric field 3x105 2.2x106 2.5x106 k (W/cm K) thermal conductivity 1.5 1.7 5 E c low on resistance E g low leakage, high Tj k …
به خواندن ادامه دهید
حسابداری انواع هزینه‌ها در شرکت‌های تولیدی+طبقه بندی هزینه‌های تولید. مخارج واقع شده جهت اداره امور و انجام فعالیت‌های شرکت که منافع آتی ندارد (برخلاف دارایی‌ها که انتظار می‌رود منافع آتی داشته باشند) را هزینه می ...
به خواندن ادامه دهید
(4) T. Tanioka, et al.: High Performance 4H-SiC MOSFETs with Optimum Design of Active Cell and Re-Oxidation, PCIM Europe 2018, 879-884 (2018) (5) Peters, D., et al.: Investigation of threshold voltage stability of SiC MOSFETs, Proc. of 30th ISPSD, 40-43 (2018) Table 1 Comparison of SW characteristics in planar-gate MOS and MIT2-MOS
به خواندن ادامه دهید