- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
صرف نظر از روتور استفاده شده قواعد کلی برای دوران یکی است. روتور نیز همانند استاتور از دو قسمت هسته و سیم پیچ تشکیل شده‌است که سیم پیچ‌های اطراف روتور می‌تواند از جنس مس یا آلومینیوم باشد.
به خواندن ادامه دهید
SCT4036KE is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. Advantages of ROHM's 4th Generation SiC MOSFETThis series has about 40% reduction in on-resistance and …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟ یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation drift velocity, SiC has attracted much attention from researchers and the industry for decades. With the advances in material science …
به خواندن ادامه دهید
Evaluation Board HB2637L-EVK-301. The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs (SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply …
به خواندن ادامه دهید
ROHM Multigenerational SiC MOSFET Design . The fourth generation SiC MOSFET has produced notable advancements in areas like decreased energy losses, quicker switching speeds, and increased …
به خواندن ادامه دهید
SCT4018KW7 is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.Advantages of ROHM's 4th Generation SiC MOSFETThis series has about 40% reduction in on-resistance and about 50% reduction in switching loss compared to conventional products. The 15V gate …
به خواندن ادامه دهید
فلزیاب آی سی98 یک دستگاه فلزیاب قدرتمند و حرفه ای می باشد که توسط بهترین و با کیفیت ترین قطعات الکترونیکی تولید شده است. از ویژگی های اصلی این دستگاه فلزیاب می توان به عمق کاوش بالا، قابلیت حذف ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET Bare Die. ROHMs Bare Die MOSFETs are used in advanced power electronics circuits to achieve significantly higher levels of energy efficiency than is possible with conventional silicon devices. Please contact us for specifications and purchase information. We do not sell bare die SiC MOSFET products through internet distributors.
به خواندن ادامه دهید
4/84 © 2020 ROHM Co., Ltd. No. 63AN104C Rev.003 2020.10 ・ Application NoteSiC 8.2.7 .....72
به خواندن ادامه دهید
ROHM has released the 4th generation of SiC MOSFETs, which has evolved from the existing trench gate structure. It has achieved a 40% reduction in on-resistance and a …
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET 。, OBC Totem-pole PFC, 4 SiC MOSFET 。 (2) DC-DC4SiC MOSFET 2.1.
به خواندن ادامه دهید
SCT4036KR is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-speed switching …
به خواندن ادامه دهید
سرامیک (به انگلیسی: Ceramic) یک ماده جامد غیر فلزی غیر آلی است که از ترکیبات فلزی یا غیر فلزی تشکیل شده و با گرم شدن در دمای بالا شکل گرفته و سپس سخت شده‌است. به‌طور کلی، سرامیک‌ها موادی سخت ...
به خواندن ادامه دهید
SCT4026DE is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. Advantages of ROHM's 4th Generation SiC MOSFETThis series has about 40% reduction in on-resistance and …
به خواندن ادامه دهید
ROHM Semiconductor SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs. ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and …
به خواندن ادامه دهید
SCT4026DR is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-speed switching …
به خواندن ادامه دهید
سیلیسیم [۶] [۷] [۸] (به فرانسوی : Silicium) یا سیلیکن [۹] (به انگلیسی : Silicon ) (long) با نشان شیمیایی Si یک عنصر شیمیایی از خانوادهٔ شبه فلزات است که در گروه چهاردهم و دورهٔ سوم جدول تناوبی عنصرها جای دارد ...
به خواندن ادامه دهید
：JEDEC。( )ROHM,< >。 SiC MOSFET 134 SiC MOSFET SiC MOSFET ： 22/05/11 13:32 カテ ゴリパワーデバイス ,D 5 '@, æ;ÿ4ÿ ÿ ¢þ»þÌæ<
به خواندن ادامه دهید
خواص فیزیکی روی. روی، فلزی به رنگ آبی-سفید، درخشان و دیامغناطیس است. این عنصر، چگالی کمتری نسبت به آهن دارد و ساختار بلوری شش‌وجهی برای آن ذکر می‌شود. این فلز در بیشتر موارد، حالتی سخت و شکننده دارد اما در دمای بین 100-150 ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET. SiC MOSFET は、スイッチングのテールがにせず、がかつスイッチングがいデバイスです。. オンとチップサイズにより、ゲートがします。. また、SiCはにおいてもオンのが ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs. SiC MOSFETs eliminate tail current during switching, resulting in faster operation, reduced switching loss, and increased stabilization. Lower ON resistance and a compact chip size result in …
به خواندن ادامه دهید
mosfet オンかつスイッチングがのロームのmosfet。から800vのまでいラインアップをしており、、モーターなど、々なにじたシリーズをえております。 のにかせないmosfet。
به خواندن ادامه دهید
The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power …
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET 는 원리적으로 스위칭 시의 tail 전류가 발생하지 않아, 고속 동작과 낮은 스위칭 손실을 실현한 디바이스입니다. 저 ON 저항과 소형 칩 사이즈로, 게이트 전하 용량을 저감합니다. 또한, SiC는 ON 저항 증가를 최소한으로 억제하는 등 우수한 재료 특성으로 ...
به خواندن ادامه دهید
CNC (سی ان سی) چیست و چه انواعی دارد؟. برش چوب و فلزات در طرح های بسیار پیچیده و مختلف یکی از دستاورد های جدید بشر است که با حضور دستگاه های CNC (سی ان سی) به راحتی انجام شد. به احتمال زیاد برای شما هم ...
به خواندن ادامه دهید
ic u2,u102 bm61m41rfv-c driver ic rohm ssop-b10w ic u201 bd450m2wefj-ce2 ldo(5v,0.2a) rohm htsop-j8 ic u51,u151 s-19700a00a-e8 ldo(20v,0.4a) ablic hsop-8a shunt regulator …
به خواندن ادامه دهید
Basic properties of silicon carbide (SiC) which has the potential for minimizing the size of power products, reducing power consumption, and enhancing efficiency, how to use SiC diodes and SiC …
به خواندن ادامه دهید
SiCパワーデバイス. シリコンカーバイド（SiC）デバイス は、シリコン（Si）デバイスとしてオンがく、、、でのがれていることから、のとしていにされています。. SiCデバイスのれたに ...
به خواندن ادامه دهید
همین امر سبب شده است برای برنامه نویسان زبان جاوا، پیاده‌سازی الگوریتم‌های یادگیری ماشین، استفاده از کتابخانه‌ها، خطایابی برنامه‌ها و نمایش گرافیکی داده‌هاُ ساده‌تر شوند.
به خواندن ادامه دهید
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs. ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs …
به خواندن ادامه دهید
SCT4026DEHR. 750V, 56A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive. AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT4026DEHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. This series has about 40% reduction in on …
به خواندن ادامه دهید
Santa Clara, CA and Kyoto, Japan, Jan. 10, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- ROHM Semiconductor today announced the adoption of …
به خواندن ادامه دهید