- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
نمایشگاه بین المللی ماشین آلات پردازش فلز ترکیه، استانبول (Tuyap Fair Center) فراتر از قرار دادن محصولات پیشرفته در حوزه خود ، MAKTEK با ایجاد یک بستر مشترک برای هزاران محصول جدید پیش بینی آینده صنعت را ...
به خواندن ادامه دهید
Power MOSFET Applications. The ST Power MOSFET portfolio offers a broad range of breakdown voltages from -100 to 1700 V, combining state-of-the-art packaging with low gate charge and low on-resistance. Our …
به خواندن ادامه دهید
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) have been meanwhile commonly accepted to be the concept of choice when aiming at reliable …
به خواندن ادامه دهید
ACEPACK DRIVE power modules are based on the 3rd generation of SiC MOSFETs that offers optimal efficiency and performance. Furthermore, the incredibly high power density of the modules minimizes system room occupation and covers a power range from 180 to more than 300 kW at a voltage rating from 750 V* to 1200 V. Product portfolio
به خواندن ادامه دهید
implanted mosfet （dimosfet）がでされ ている（2）、（3）。これにしてトレンチmosfetはdimosfet の（jfet）がなく、がと なるためにであり、sic mosfetのの となりつつある。 でのv …
به خواندن ادامه دهید
Dod-cell and Oct-cell MOSFETs in this work are shown in Figure1c. All MOSFETs have the same edge termination design and die size. The die size is 1.15 1.15 mm2, including the termination. The MOSFETs are fabricated on a 6-inch SiC wafer by X-Fab using the same SiC power MOSFET process. Figure1d shows the cross-sectional …
به خواندن ادامه دهید
چکیدهدر این مقاله از FG-MOSFET که در مجاورت گیت آن واکنش شیمیایی بین گاز و اکسید فلز رخ می دهد بعنوان سنسور گاز استفاده می شود. هرچه غلظت مولکولهای گاز در مجاورت گیت ترانزیستور ماسفت بیشتر باشند، الکترونهای بیشتری در سطح ...
به خواندن ادامه دهید
performance from ST's 1200 V SiC MOSFET in your application. The first ST SiC MOSFET given is the 80 mΩ version (SCT30N120), the device is packaged in the proprietary HiP247™ package and features the industry's highest junction temperature rating of 200 °C. All the data reported in the present work refers to the SCT30N120.
به خواندن ادامه دهید
چگونگی پردازش فلز پالایش سنگ معدن از مواد معدنی پروژه ها hb engineers استخراج مس از سنگ معدن صفحه ...
به خواندن ادامه دهید
Dec 1, 2022 Geneva (Switzerland) and Bernin (France) Agreement to qualify Soitec technology for future 200mm SiC substrate production. Key enabling semiconductor …
به خواندن ادامه دهید
The two basic types of SiC MOSFET structures based on the gate modification are planar MOSFETs (DMOSFETs) and trench MOSFETs (UMOSFETs), …
به خواندن ادامه دهید
الکترو وینینگ. استفاده از فناوری پالایش الکتریکی برای تبدیل سوخت اتمی به فلز. الکترو-وینینگ، که به آن استخراج الکتریکی نیز گفته می‌شود، عبارتست از عملیات رسوب الکتریکی فلزات از سنگ معدن آن ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET dies are considerably smaller than Si IGBT dies for the same output power (e.g. 100 kW for drive inverters) one needs to parallel a higher number of SiC MOSFETs (even if they have a higher current carrying capability per area) (>10 SiC dies instead of ≃3 IGBT dies) higher numbers of paralleled chips bear more risk of differences ...
به خواندن ادامه دهید
This application note describes the general features and characteristics of the CoolSiC™ MOSFET M1H generation for power modules. It provides useful guidance for designing efficient power systems with this new transistor. The M1H chip offers high flexibility and is suitable for various applications such as solar inverters, fast EV charging, energy storage …
به خواندن ادامه دهید
Replacing silicon based IGBTs and diodes in the inverter stage by SiC MOSFETs, results in higher efficiency, smaller form factor, less cooling requirements, ... Comprehensive ST …
به خواندن ادامه دهید
فهرستی از نرمافزارهای مرکز پردازش سریع در بخش زیر آورده شده است. شایان‌ذکر است این نرم‌افزارها عطف به استفاده کاربران با نسخه جدیدتر به‌روزرسانی می‌شود و همچنین نرمافزارهای جدید اضافه ...
به خواندن ادامه دهید
Trench-Gate SiC MOSFETs by Localized High-Concentration N-Type Ion Implantation, Mater. Sci. Forum 1004, 770-775 (2020) (4) T. Tanioka, et al.: High Performance 4H-SiC MOSFETs with Optimum Design of Active Cell and Re-Oxidation, PCIM Europe 2018, 879-884 (2018) (5) Peters, D., et al.: Investigation of threshold voltage
به خواندن ادامه دهید
The results are highest efficiency, higher switching frequencies, less heat dissipation, and space savings – benefits that, in turn, also reduce the overall system cost. We identified this potential almost 30 years ago and established a team of experts in 1992 to develop SiC diodes and transistors for high-power industrial applications.
به خواندن ادامه دهید
The market leader in SiC power MOSFETs, ST has incorporated new and advanced design know-how to open up even more of SiC's energy-saving potential. The …
به خواندن ادامه دهید
ROHM's Solutions to the Challenges of Driving SiC MOSFETS But SiC MOSFETs also present new circuit design challenges. Most significantly, they require a high current gate drive to quickly supply the full required gate charge (QG). SiC MOSFETs exhibit low on-resistance only when driven by a recommended 18V to 20V gate to source (VGS) voltage,
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید
Download scientific diagram | SiC MOSFET process flow. from publication: Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET | Owing to the superior properties of …
به خواندن ادامه دهید
Infineon is the world's largest manufacturer of power semiconductor components, offering the most comprehensive portfolio of metal-oxide-silicon transistors. With the acquisition of International Rectifier (IRF) in …
به خواندن ادامه دهید
در این پروژه از بورد stm32f4discovery استفاده شده است. لازم به ذکر است روال راهاندازی در کلیه میکروکنترلرهای stm32 مشابه یکدیگر هستند و لزومی برای خرید این بورد نیست و میتوان از بوردهای ارزان قیمت موجود در بازار استفاده کرد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت ( اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است ...
به خواندن ادامه دهید
نسخه پلیر ورژن 2.0.0 ارائه شده است و نسخه های پلیر قبلی به زودی غیرفعال خواهد شد. حتما نسخه های قبلی پلیر را حذف کرده و نسخه جدید v2.0.0 را دانلود کرده و استفاده کنید.
به خواندن ادامه دهید
Si HV MOSFET Medium-high power, high voltage, up to several kw, high frequency SMPS, server and telecom, DC/DC, low power motor control, OBC, charging station IGBT Very high power, high voltage, medium frequency up to 50 kHz HV motor control, H.A., UPS, welding, induction heating, main traction SiC MOSFET
به خواندن ادامه دهید
AG 650V SiC MOSFETs: Gen 2 High Voltage Product Family in production •SCTx35N65xx •SCTx100N65xx AG 1200V SiC MOSFETs: Gen 2 Very High Voltage High Product Family in Production •SCTx40N120xx •SCTx70N120xx •SCTx100N120xx • Smaller form factor with high power density • Higher system efficiency at high frequency
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide MOSFET 650 V, 45 A TN3050H-12WY SCR Thyristor 30A 1200V 1200V 600V 600V 1200V STM32F334 VIPer26LD 97.5 % efficiency at full load Key Products: SCTW35N65G2V (SiC MOSFET) TN3050H-12GY (SCR Thyristor) STGAP2AS (Galvanic insulated gate driver) STM32F334 (32-bit MCU) VIPer26LD (converter for aux. PS)
به خواندن ادامه دهید
صرف نظر از روتور استفاده شده قواعد کلی برای دوران یکی است. روتور نیز همانند استاتور از دو قسمت هسته و سیم پیچ تشکیل شده‌است که سیم پیچ‌های اطراف روتور می‌تواند از جنس مس یا آلومینیوم باشد.
به خواندن ادامه دهید