- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
یک ترانزیستور PNP. یک ترانزیستور NPN. ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جِی‌تی (به انگلیسی: BJT) نوعی ترانزیستور است که دارای سه‌پایه به نام‌های بِیس (B)، اِمیتر (E) و کُلِکتور (C) می‌باشد و چون در این ...
به خواندن ادامه دهید
onsemi. Manufacturer Product Number. NTH4L014N120M3P. Description. SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE. Manufacturer Standard Lead Time. 46 Weeks. Detailed …
به خواندن ادامه دهید
NTH4L014N120M3P/D Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L NTH4L014N120M3P Features • Typ. RDS(on) = 14 m @ VGS = 18 V • Low …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟. یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلز اکسید ، که به آن حافظه نیمه هادی mos نیز می گویند ، در سال 1959 اختراع شد. این امکان استفاده از ترانزیستورهای MOS را به عنوان عناصر ذخیره سلول حافظه فراهم می ...
به خواندن ادامه دهید
NTH4L014N120M3P onsemi MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L katalogový list, zásoby a ceny. Přeskočit na Hlavní obsah +420 …
به خواندن ادامه دهید
NTH4L014N120M3P. 1 cart items. Signal Conditioning & Control Custom & ASSP Interfaces Wireless Connectivity. Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Power Modules Protected MOSFETs Rectifiers Audio Transistors Darlington Transistors ESD Protection Diodes JFETs Small Signal Switching Diodes Zener Diodes RF Transistors RF Diodes IGBTs.
به خواندن ادامه دهید
رله‌های الکتریکی را می‌توان به رله‌های مکانیکی موسوم به "رله های الکترومکانیکی" و آنهایی که از ترانزیستورهای نیمه هادی، تریستور، تریاک و غیره استفاده می‌کنند، به عنوان قطعه سوئیچینگ ...
به خواندن ادامه دهید
اگر به این تکه نیمه هادی از خارج ولتاژی بصورت آنچه در شکل نمایش داده می شود اعمال کنیم در مدار جریانی برقرار می شود و چنانچه جهت ولتاژ اعمال شده را تغییر دهیم جریانی از مدار عبور نخواهد کرد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهید
در این مدل از دیودها از فلز طلا یا پلاتینیوم برای ماده دوپینگ در نیمه هادی استفاده می شود که سرعت سوییچ کردن و هزینه تولید آن را بسیار بالا می برد. همچنین نشتی ولتاژ معکوس این دیود بالاتر از ...
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
معمولاً برای تولید ترانزیستورهای فلزی-اکسیدی-نیمه هادی با اثر میدان (mosfets) و تراشه های مدار مجتمع سیلیکون استفاده می شود. خطرات و عوارض جانبی سیلیس. سیلیکا به صورت خوراکی در صورت بلع غیر سمی است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود. این قطعه اساسی، همانند بلوک ساختمان است که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
مقاومت ثابت چیست؟. مقاومت‌های الکتریکی به دو دسته کلی ثابت ( Fixed Resistors) و متغیر ( Variable Resistors) تقسیم بندی می‌شوند. مقاومت های ثابت تنها دارای یک مقدار مقاومت واحد هستند، برای مثال 100Ω اما مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
NTH4L014N120M3P Datasheet (HTML) - ON Semiconductor: NTH4L014N120M3P Product details: Features • Typ. RDS(on) = 14 m @ VGS = 18 V • Low Switching Losses (Typ. …
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید
دو اتصال اهمی B 1 و B 2 در دو انتهای کانال نیمه‌هادی با مقاومت بین B 1 و B 2 قرارگرفته‌اند، هنگامی‌که امیتر مدارباز می‌شود، به این مقاومت، مقاومت interbase) RBB) گفته می‌شود. هنگامی‌که این مقاومت را ...
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای اثر میدانی، جا به جایی حامل های الکتریکی (الکترون و حفره) در نیمه هادی ها با استفاده از یک میدان الکتریکی اتفاق می افتد. علت نام گذاری این قطعات هم به همین دلیل است.
به خواندن ادامه دهید
بر پایه‌ی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمه‌هادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمه‌هادی‌های ۱۰ نانومتری استفاده میکند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور تک پیوندی یا UJT (Unijunction Transistor) یک المان نیمه‌هادی سه پایانه است که ویژگی‌های مقاومت منفی و سوئیچینگ را برای استفاده به عنوان یک نوسان‌ساز وقفه‌ای (relaxation oscillator) در کاربردهای کنترل فاز از خود نشان می‌دهد.
به خواندن ادامه دهید
گالیم نیترید از مواد نیمه‌هادی مهم محسوب می‌شود که به‌مرور نفوذ خود را در دنیای گوشی‌های هوشمند و دیگر گجت‌ها افزایش می‌دهد. تبلیغات. شاید تاکنون نام گالیم نیترید (GaN) را نشنیده باشید؛ اما ...
به خواندن ادامه دهید
سرفصل‌های دوره آموزش رایگان الکترونیک دیجیتال. فصل اول: مقدمات و مفاهیم اولیه. 01:04 ساعت (01:04 ساعت محتوا) 1 جلسه. جلسه 1: مقدمات و مفاهیم اولیه. "64:02. فصل دوم: مواد نیمه هادی و دیودها. 03:05 ساعت (03:05 ...
به خواندن ادامه دهید
هنگامی که در مدار استفاده می‌شود، ترمینال b1 به زمین متصل می شود و امیتر به عنوان ورودی دستگاه عمل میکند. فرض کنید یک ولتاژ v bb از طریق ujt بین b2 و b1 اعمال شود تا b2 نسبت به b1 مثبت باشد. با اعمال ...
به خواندن ادامه دهید
نکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
کریستال سیلیکون متداول‌ترین نیم‌رسانای مورد استفاده در میکروالکترونیک فتوولتاییک. نیم‌رسانا [۱] یا نیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی : Semiconductor) عنصری است که رسانایی الکتریکی آن، چیزی ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور نوعی دستگاه نیمه هادی است که برای هدایت و عایق بندی جریان الکتریکی و ولتاژ استفاده می شود. ترانزیستور اساسا به عنوان کلید و تقویت کننده عمل می کند. به عبارت ساده می توان گفت که ترانزیستور یک دستگاه کوچک است …
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله از زومیت با پردازنده و سازوکار آن بیشتر آشنا می‌شویم. تبلیغات. واحد پردازش مرکزی (CPU) عنصری حیاتی در هر کامپیوتر محسوب می‌شود و تمامی محاسبات و دستوراتی را که به سایر اجزای ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
BJT یکی از رایج‌ترین انواع ترانزیستور است و می‌تواند NPN یا PNP باشد. درواقع یک ترانزیستور BJT از سه پایانه تشکیل شده است: امیتر، بیس و کلکتور. یک BJT می‌تواند یک سیگنال الکتریکی را تقویت کند یا ...
به خواندن ادامه دهید