- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
خالص سازی شن. شن، خاک و سنگ، به‌طور کلی پوسته زمین حاوی ۲۵٪ سلیسیم است که به صورت سیلیسیم دی‌اکسید (SiO2) در طبیعت یافت می‌شود. شن طی چندین مرحله پاکسازی می‌شود تا بتواند کیفیت لازم برای تولید نیمه هادی را بدست آورد و ...
به خواندن ادامه دهید
سنتز نانو لوله‌های کربنی. روش‌های تخلیه الکتریکی، کند و سوز لیزری، گسست ناهمگن مونوکسیدکربن فشار بالا و انباشت شیمیایی بخار (CVD) برای تولید انبوه نانولوله‌های کربنی توسعه یافته‌اند. بیشتر ...
به خواندن ادامه دهید
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
جریان کلکتور بزرگ‌تر حاصل جریان پایه برای ترانزیستور p-n-p است. ترانزیستور p-n-p دارای ناحیه پایه غیرمعمول گسترده‌ای است، بنابراین بهره آن به‌خصوص در جریان‌های پایین، کم است.
به خواندن ادامه دهید
در دیتاشیت ترانزیستور، این ولتاژ به صورت ولتاژ اشباع CE و با نماد V CE(sat) تعریف می‌شود که همان ولتاژ لازم کلکتور-امیتر برای برای اشباع است. این مقدار معمولاً در حدود ۰٫۰۵ تا ۰٫۲ ولت است.
به خواندن ادامه دهید
پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) و تکنولوژی CMOS در 101 اسلاید | دانلود انواع فایل و مقاله آموزشی. ماسفتیاترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز(به انگلیسی : metal–oxide ...
به خواندن ادامه دهید
چکیده مقاله: در این ترانزیستورھای اثر میدان نانولوله کربنی، نوید بخش ترین قطعه نانو مقیاس برای پیاده سازی مدارات با کارکرد بالا، چگالی زیاد و توان مصرفی پایین می باشد. یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ترانزیستورها به ۲ گروه کانال N و کانال P تقسیم ...
به خواندن ادامه دهید
عناصر (مانند آلومینیوم، منیزیم، کلسیم، سدیم، پتاسیم و آهن) به شکل سیلیکات. شکل اکسید شده مانند دی اکسید سیلیکون و سیلیکات ها به طور خاص نیز در پوسته زمین رایج است و جزء مهمی از گوشته زمین است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور یکی از اجزای فعال مهم است (وسیله ای که می تواند سیگنال خروجی قدرت بالاتری نسبت به سیگنال ورودی تولید کند).
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی فلزی : metal semiconductor field effect transistor ( mesfet ) صفحه اصلی خدمات مهندسی برق
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون روی عایق. فناوری سیلیکون روی عایق (SOI) به استفاده از یک لایه سیلیکون-عایق بر روی سیلیکون به جای استفاده از لایه سیلیکون معمولی در تولید نیمه هادی‌ها، علی‌الخصوص در میکرو الکترونیک ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز یا ماسفِت معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام‌گذاری این است ...
به خواندن ادامه دهید
قطعات نیمه‌هادی هم برای قطعات گسسته و هم برای مدارهای مجتمع تولید می‌شوند که از چند تا میلیاردها قطعه ساخته شده و به هم پیوسته در یک لایه یا نیمه ویفر نیمه‌هادی ساخته شده‌اند.
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون، روش‌های جدیدی را برای طراحان فراهم کرده است که به کمک آنها می‌توانند لباس‌هایی سبک‌تر با خاصیت آبگریزی و عملکرد بالاتری تولید کنند و در عین حال، عبور اکسیژن نیز از بین آنها به ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آن‌جایی که ...
به خواندن ادامه دهید
دنیای اطلاعات: ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و الکتریکی است که برای تقویت و قطع و وصل سیگنال‌های الکترونیکی و توان الکتریکی کاربرد دارد. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند ...
به خواندن ادامه دهید
طراحی آشکار ساز نور uv با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدsio2، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی. در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (mosfet)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
ساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
Mosfet چیست؟. ۲۶ مهر ۱۳۹۷ مقالات پاورز. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلزمی باشد. Mosfet مخف (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) ترانزیستور معروف‌ترین اثر میدان در مدارهای آنالوگ و ...
به خواندن ادامه دهید
اولین تکنیک‌ها برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله‌های کربنی (cnt) شامل طرح‌بندی نوارهای موازی فلز در سطح زیرلایه دی اکسید سیلیکون، و سپس رسوب cnt ها در بالا در یک الگوی تصادفی بود ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهمترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
در این نوع ترانزیستور اثر میدانی، درین و منبع به شدت دوپ شده از ناحیه n+ و زیرلایه یا بدنه از نوع P هستند. جریان در این نوع ماسفت به دلیل الکترون‌هایی با بار منفی اتفاق می‌افتد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان با نیمه هادی اکسید فلزی. bjt. ترانزیستور پیوندی دوقطبی. ساختار سخت افزاری: ۳ ترمینال، گِیت، سورس، درِین پیچیده تر. ۳ ترمینال، امیتر، بیس و کالکتور: فرآیند کارکرد
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت می کند برای افزایش جریان ...
به خواندن ادامه دهید
درترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتیبرای نمودار یک نمودار خطی است در حالی که با افزایش از صفر نمودار تبدیل به یک منحنی غیر خطی می شودمشخصه انتقالی مانند ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو. بررسی اثر آسایش حرارتی تطبیقی بر میزان مصرف انرژی یک ساختمان در اقلیم های مختلف ...
به خواندن ادامه دهید
فرآیند خنک شدن و خرد کردن سیلیکون. ماده اکسید شده، که سرباره نامیده می‌شود، در ظرف‌هایی ریخته و خنک می‌شود. پس از خنک شدن، فلز از قالب به داخل یک پالت ریخته شده، وزن می‌شود و سپس در انبار ...
به خواندن ادامه دهید