- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
دسته بندی محصولات. بهترین قیمت انواع ماسفت MOSFET، ضمانت سلامت کالا، ضمانت 48 ساعته تعویض کالا در صورت خرابی، ارسال سریع و رایگان به سراسر کشور در کمترین زمان.
به خواندن ادامه دهید
2010,sic mosfet,2015sic mosfetsic mosfet。 20201200V SiC MOSFET,,40%, ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs capable of blocking extremely high voltages (up to 15kV); while dopant control for thin highly-doped epitaxial layers has helped enable low on-resistance 900V SiC MOSFET production. Device design and processing improvements have resulted in lower MOSFET specific on-resistance for each successive device generation.
به خواندن ادامه دهید
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package onsemi nvh4l022n120m3s mosfets 에 대해 자세히 알아보기
به خواندن ادامه دهید
Microchip's 3.3 kV SiC power devices include MOSFETs with the industry's lowest RDS (on) of 25 mOhm and SBDs with the industry's highest current rating of 90 amps. Both MOSFETs and SBDs are ...
به خواندن ادامه دهید
ما در تولید مسفت حرفه ای هستیم TOPDIODE یکی از تولید کنندگان و تامین کنندگان ماسفت در چین است. ما نام تجاری خود و همچنین گواهی REACH و ROHS را داریم. ما کالاهای عمده ساخته شده در چین را داریم که قیمت پایینی را ارائه می دهند. ما ...
به خواندن ادامه دهید
2019,SiC MOSFET2.6,202510,25.2%,。. SiC MOSFET、、、、GeneSiC、,SiC MOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت IRFP460/IRFP460N IRFP460N تعداد تخفیف قیمت +1 94,900 تومان +20 1.5 % 93,500 تومان +100 3.0 % 92,100 تومان +500 4.4 % 90,700 تومان موجودی: 9 افزودن به سبد برند: VISHAY پکیج: TO-247 …
به خواندن ادامه دهید
کیفیت بالا ترانزیستورهای ماسفت AIMBG120R010M1 1200 ولت SiC Mosfet برای خودرو از چین, پیشرو چین است ترانزیستورهای ماسفت AIMBG120R010M1 تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق ترانزیستورهای ماسفت خودرو کارخانه, تولید با کیفیت بالا 1200 ولت SiC ماسفت ...
به خواندن ادامه دهید
CoolSiCTM MOSFET 1200 V SiC MOSFET。3 (a) 45 mΩ CoolSiCTM MOSFET - （V GS）15 V-。[3] SiC Si 10 ； …
به خواندن ادامه دهید
CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET Application Note Infineon 1200 V SiC Trench CoolSiC™ MOSFET 1 Infineon 1200 V SiC Trench CoolSiC™ MOSFET Silicon carbide (SiC) as a compound semiconductor material is formed by silicon (Si) and carbon (C). Currently, 4H–SiC is preferred for power devices primarily because of its high carrier mobility ...
به خواندن ادامه دهید
Wolfspeed Silicon Carbide MOSFET gate drivers enable high-efficiency power delivery across applications, such as EV Fast Charging, Renewable Energy, and Grid Infrastructure. In this whitepaper, learn tips to maximize the switch potential and reduce losses, as we dive into SiC gate driving requirements.
به خواندن ادامه دهید
۱۸٫۰۰۰ تومان. در جهان میکرو. ترانزیستور ماسفت 150 وات IRF540 - N Channel. ۷۹٫۰۰۰ تومان. در دیجی قطعه. ترانزیستور ماسفت IRF840 ا N-Channel MOSFET.
به خواندن ادامه دهید
performance from ST's 1200 V SiC MOSFET in your application. The first ST SiC MOSFET given is the 80 mΩ version (SCT30N120), the device is packaged in the proprietary HiP247™ package and features the industry's highest junction temperature rating of 200 °C. All the data reported in the present work refers to the SCT30N120.
به خواندن ادامه دهید
16,500 تومان +500 4.1 % 16,200 تومان موجودی: 0 افزودن به سبد برند: IR پکیج: TO-220 وزن: 2.0g دیتاشیت دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه …
به خواندن ادامه دهید
قیمت و خرید MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS در 25 ماه برند CREE | مالتینا تلفن تماس: 36164000-026 نصب افزونه مالتینا ارسال رایگان به سراسر کشور تخفیفهای روزانه آمازونخرید ازخرید از ترکیهخرید از اماراتخرید از …
به خواندن ادامه دهید
خرید اینترنتی MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS در 25 ماه برند CREE از محصولات Wearable Technology به همراه ارسال رایگان به سراسر کشور ... تخفیفهای روزانه آمازون خرید از. خرید از ترکیه. خرید از امارات. خرید از چین. پشتیبانی و ...
به خواندن ادامه دهید
ما ترانزیستور های حرفه ای mosfet 500 v در چین هستیم، با قطعات الکترونیکی ارزان قیمت در سهام. لطفا در صورت تمایل به ترانزیستور با کیفیت بالا MOSFET 500 V با قیمت پایین از کارخانه ما. همچنین نقل قول در دسترس است
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs eliminate tail current during switching, resulting in faster operation, reduced switching loss, and increased stabilization. Lower ON resistance and a compact chip size …
به خواندن ادامه دهید
Among SiC MOSFET structures, the trench MOSFET has a low channel resistance thanks to its high channel density and mobility[5, 6]. However, in a high-voltage SiC MOSFET (a voltage of 3.3 kV or above), the channel resistance does not have a significant effect because of the high drift resistance. In addition, at high voltages, the trench MOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
CoolSiCTM MOSFET 1200 V SiC MOSFET。3 (a) 45 mΩ CoolSiCTM MOSFET - （V GS）15 V- …
به خواندن ادامه دهید
مقایسه ساختار IGBT و MOSFET. هر دوی این ترانزیستورها در ساختار شباهت های بسیاری به هم دارند. تنها تفاوت مهم آنها در گردش جریان الکترون هاست که در IGBT لایه p اضافه تری در زیر لایه n وجود دارد. در این ...
به خواندن ادامه دهید
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package NVH4L040N120M3S; onsemi; 1: £27.23; 232 In Stock; New Product; Mfr. Part No. NVH4L040N120M3S. Mouser Part No 863-NVH4L040N120M3S. New Product. onsemi:
به خواندن ادامه دهید