- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
تایمر ۵۵۵ — راهنمای جامع (+ دانلود فیلم آموزش رایگان) تایمر 555 یک آی‌سی بسیار متداول است که برای تولید گستره وسیعی از شکل موج‌های ولتاژ الکتریکی طراحی شده است. برای مثال با اتصال یک مدار RC ...
به خواندن ادامه دهید
فایبرگلاس یا فیبرشیشه (به انگلیسی: Fiberglass) کامپوزیتی از الیاف شیشه با مواد پلیمری است که از پشم شیشه به عنوان مادهٔ تقویت کننده و از مواد پلیمری به عنوان مواد زمینه استفاده می‌شود.. در ساخت مخازن بکار می‌رود.
به خواندن ادامه دهید
A split-gate SiC trench MOSFET with a P-poly/SiC hetero-junction diode has been proposed for optimized reverse recovery characteristics and low switching loss [17]. Furthermore, SiC MOSFET with integrated n-/n-type poly-Si/SiC heterojunction freewheeling diode has been proposed, offering a lower V f, but at the cost of BV [18]. In this paper, a ...
به خواندن ادامه دهید
فلزکاری فرایند کار کردن با فلز برای ساخت یا مونتاژ محصولات فلزی است. فلزکاری بخش بزرگ از علوم و تمدن امروزهٔ بشریت است. این علم مطالعه خاصیت‌های تمامی فلزات را دربر می‌گیرد. این صنعت به دو ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهید
In a double-pulse test, the DG-MOSFET could save total power losses of 53.4% and 5.51%, respectively. Moreover, in a power circuit simulation, the switching power loss was …
به خواندن ادامه دهید
Another major advantage of SiC MOSFET is as temperature increases from room temperature(25 °C) to 135 °C, its on-resistance increases by only 20% compared to Si …
به خواندن ادامه دهید
4H-SiC Power MOSFETs Tianshi Liu, Shengnan Zhu, Susanna Yu, Diang Xing, Arash Salemi, Minseok Kang, Kristen Booth, Marvin H. White, and Anant K. Agarwal …
به خواندن ادامه دهید
intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench MOSFETs. Figure 3 illustrates the structure of a trench MOSFET that we have been developing.
به خواندن ادامه دهید
این صفحه آخرین‌بار در ۱۳ آوریل ۲۰۲۳ ساعت ۲۰:۰۲ ویرایش شده‌است. متن تحت Creative Commons Attribution-ShareAlike License در دسترس است؛ شرایط اضافی می‌تواند اعمال گردد. شرایط استفاده را برای جزئیات ببینید.
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید
الکترو وینینگ. استفاده از فناوری پالایش الکتریکی برای تبدیل سوخت اتمی به فلز. الکترو-وینینگ، که به آن استخراج الکتریکی نیز گفته می‌شود، عبارتست از عملیات رسوب الکتریکی فلزات از سنگ معدن آن ...
به خواندن ادامه دهید
This section is focused on the investigation of the effect of traps on the oxide/4H-SiC interface with an emphasis on the µch degradation and Vth instability. Firstly, starting from …
به خواندن ادامه دهید
در این مطالعه کربن ساخته شده از الیاف نارگیل به عنوان جاذب به منظور جذبیونهای محلول نیکل مورد آزمایش قرار گرفت .برای این منظور اثرات ph محلول وغلظت اولیه نیکل در محلول و زمان تماس بر میزان جذب این فلز بررسی شد علاوه بر ...
به خواندن ادامه دهید
صرف نظر از روتور استفاده شده قواعد کلی برای دوران یکی است. روتور نیز همانند استاتور از دو قسمت هسته و سیم پیچ تشکیل شده‌است که سیم پیچ‌های اطراف روتور می‌تواند از جنس مس یا آلومینیوم باشد.
به خواندن ادامه دهید
شاید برای شما تعجب آور باشد که بدانید مس حتی با وجود اینکه در بسیاری کاربردهای رایج استفاده می‌شود اما رساناترین فلز موجود نیست.تصور غلط دیگری که وجود دارد این است که طلای خالص بهترین رسانای الکتریسیته است.
به خواندن ادامه دهید
واحد پردازش ... اصطلاح «واحد پردازش مرکزی»، از اوایل سال ۱۹۵۵ استفاده شده‌است. ... مدل یک پردازنده ساب اسکالر که نیاز به ۱۵ چرخه ساعت برای کامل کردن ۳ دستورالعمل دارد.
به خواندن ادامه دهید
فلز مس یکی از قدیمی ترین عناصر شناخته شده توسط بشر است و قدمت آن، به حدود 10 هزار سال قبل باز می گردد. در مصر باستان، مس به عنوان فلز فرعون و سایر حاکمان شناخته می شد. آن ها معتقد بودند که استفاده ...
به خواندن ادامه دهید
رایانه‌ای همه‌کاره است که از نظر اندازه و قابلیت‌ها و قیمت به‌گونه‌ای ساخته شده که برای استفادهٔ شخصی مناسب بوده و قرار است که کاربر نهایی از آن استفاده کند.
به خواندن ادامه دهید
مراحل انجام و نکات مهم در عملیات گالوانیزهٔ گرم[ ویرایش] انجام یک روکش گالوانیزه دارای مبنای واکنش متالورژی بین فولاد و روی ذوب شده‌است که منجر به شکل‌گیری چندین لایه مرکب آهن، روی (برای ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیسیم [۶] [۷] [۸] (به فرانسوی : Silicium) یا سیلیکن [۹] (به انگلیسی : Silicon ) (long) با نشان شیمیایی Si یک عنصر شیمیایی از خانوادهٔ شبه فلزات است که در گروه چهاردهم و دورهٔ سوم جدول تناوبی عنصرها جای دارد ...
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار می‌کند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
This paper reviews the critical process steps of the fabrication process for SiC power devices, which include substrate formation, epitaxy layer, ion implantation, …
به خواندن ادامه دهید
به نتایج پردازش داده ، اطلاعات می‌گویند. کسب اطلاعات در واقع هدف از جمع‌آوری داده و پردازش آن می‌باشد تا بتوان با استفاده از آن به نتایج مطلوب دسترسی پیدا کرد. معمولاً اطلاعات برای مخاطب ...
به خواندن ادامه دهید
This work presents a comprehensive study on the behaviour and operation of a vertical 1.2 kV 4H-SiC junctionless power FinFET. The increased bulk conduction in …
به خواندن ادامه دهید
برای بیشتر کاربران، روش کار بیت کوین در همین حد است. در پشت این پرده، شبکه بیت کوین یک دفتر کل عمومی به نام "زنجیره بلاک" را به اشتراک گذاشته است. این دفتر کل شامل تمامی تراکنشهایی است که تا کنون ...
به خواندن ادامه دهید
This paper reviews advanced gate dielectric processes for SiC MOSFETs. The poor quality of the SiO 2 /SiC interface severely limits the value of the channel field …
به خواندن ادامه دهید
Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based switches like IGBTs and MOSFETs, the Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET offers a series of advantages. CoolSiC™ MOSFET …
به خواندن ادامه دهید
4SiC MOSFET Application Note 3, 4 SiC MOSFET 。。Figure 3（a）,（b）。 (a) DC-DC …
به خواندن ادامه دهید
باتری‌های لیتیوم پلیمر و تاریخچه آن‌ها. سابقه تولید و استفاده از سلول‌های لیتیوم-پلیمر (LiPo) به پژوهش‌های گسترده انجام‌شده در دهه ۱۹۸۰ میلادی بر روی سلول‌های لیتیوم- یون و لیتیوم- فلز برمی ...
به خواندن ادامه دهید
PDF | A comprehensive physical model for the analysis, characterization, and design of 4H-silicon carbide (SiC) MOSFETs has been developed. The model... | Find, …
به خواندن ادامه دهید